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參數(shù)資料
| 型號： | CSA1362 |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 低頻功率放大器晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | CSA1362 |
Continental Device India Limited
Data Sheet
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Storage temperature
Junction temperature
T
stg
Tj
–55 to +150
max.
° C
° C
150
THERMAL CHARACTERISTICS
T
j
= P (R
th j–t
+ R
th s–a
) + T
amb
Thermal resistance
from junction to ambient
R
th j–a
556
°C/mW
CHARACTERISTICS
(at T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Collector–emitter breakdown voltage
–I
C
= 10 mA
–V
(BR)CEO
min.
15
V
Collector cut–off current
–V
CB
= 15 V
–I
CBO
max.
100
nA
Emitter cut-off current
V
EB
= 5 V
I
EBO
max.
100
nA
Saturation voltages
–I
C
= 400 mA; –I
B
= 8 mA
–V
CEsat
max.
0.25
V
Base Emitter on voltage
I
C
= 10 mA, V
CE
= 1 V
–V
BE(on)
min.
0.5
V
max.
0.8
V
D.C. current gain
I
C
= 100 mA; –V
CE
= 1 V
h
FE
min.
max.
120
400
Y
min.
max.
120
240
GR
min.
max.
200
400
I
C
= 800 mA; V
CE
= 1 V
min.
40
Transition frequency
V
CE
= 5V, I
C
= 10 mA
f
T
typ.
120
MHz
Collector output capacitance
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1 MHz
C
ob
typ.
13
pF
CSA1362
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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