參數(shù)資料
型號： CSB649B
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 120伏特五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|至126
文件頁數(shù)： 1/3頁
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代理商： CSB649B
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 1 of 3
CSB649, 649A
CSD669, 669A
Low frequency Power Amplifier
PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS
NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
649
669
180
120
649A
669A
180 V
160 V
1.5
20
150
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
Collector current
Total power dissipation up to T
C
= 25 C
Junction temperature
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 0.5 A; I
B
= 50 mA
D.C. current gain
I
C
= 150 mA; V
CE
= 5 V
V
CBO
V
CEO
I
C
P
C
T
j
max.
max.
max.
max.
max.
A
W
C
V
CEsat
max.
1.0
V
h
FE
min.
max.
60
320
60
200
RATINGS (at T
A
=25 C unless otherwise specified)
Limiting values
Collector-base voltage (open emitter)
Collector-emitter voltage (open base)
V
CBO
V
CEO
max.
max.
180
120
180 V
160 V
CSB649, CSB649A
CSD669, CSD669A
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
IS/ISO 9002
Lic# QSC/L- 000019.2
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
ALL DIMENSIONS IN MM
PIN CONFIGURATION
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
1
3
2
TO-126 (SOT-32) Plastic Package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CSB649AC TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
CSB649 TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
CSB649A TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
CSD669 TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
CSD669A TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
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參數(shù)描述
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CSB70 功能描述:電氣外殼 SPLITTER BOX 12X10X4, EMPTY RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Wall Mount Enclosures 類型:Single Door NEMA 額定值:3R 外部深度:254 mm 外部高度:305 mm 外部寬度:305 mm 面板寬度:261 mm 面板高度:261 mm 材料:Steel 顏色:Gray 通風(fēng):Not Available
CSB700J 制造商:Murata Manufacturing Co Ltd 功能描述:
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