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參數(shù)資料
| 型號： | CY62136VNLL-55ZXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2-Mbit (128K x 16) Static RAM |
| 中文描述： | 128K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44 |
| 封裝： | LEAD FREE, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 569K |
| 代理商： | CY62136VNLL-55ZXI |
CY62136VN MoBL
Document #: 001-06510 Rev. *A
Page 4 of 12
Thermal Resistance
[6]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
TSOPII
60
FBGA
55
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Still Air, soldered on a 4.25 x 1.125 inch,
4-layer printed circuit board
Θ
JC
22
16
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
Value
1105
1550
645
1.75
Unit
Ohms
Ohms
Ohms
Volts
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
V
DR
I
CCDR
Description
Conditions
[9]
Min.
1.0
Typ.
[2]
Max.
Unit
V
μ
A
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
V
CC
= 1.0V, CE > V
CC
0.3V,
V
IN
> V
CC
0.3V or V
IN
< 0.3V,
0.5
7.5
t
CDR[6]
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
0
ns
t
R[7]
70
ns
V
CC
Typ
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
OUTPUT
V
Equivalent to: THé VENIN EQUIVALENT
ALL INPUT PULSES
RTH
R1
V
CC
OUTPUT
R2
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
R1
Rise Time:
1 V/ns
Fall Time:
1 V/ns
(a)
(b)
(c)
Data Retention Waveform
Note:
7. Full device operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min)
>
100 ms or stable at V
CC(min)
>
100 ms.
8. No input may exceed V
CC
+ 0.3V
V
CC(min.)
t
R
V
CC(min.)
t
CDR
V
DR
> 1.0 V
DATA RETENTION MODE
CE
V
CC
[+] Feedback
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PDF描述 |
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