參數(shù)資料
型號(hào)： CY62137CVSL-70BAXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 2-Mbit (128K x 16) Static RAM
中文描述： 128K X 16 STANDARD SRAM, 70 ns, PBGA48
封裝： 7 X 7 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 339K
代理商： CY62137CVSL-70BAXI
CY62137CV30/33 MoBL
CY62137CV MoBL
Document #: 38-05201 Rev. *G
Page 4 of 13
Capacitance
[6]
Electrical Characteristics
Over the Operating Range (continued)
Parameter
Description
Test Conditions
CY62137CV33-55
CY62137CV-70
Unit
Min.
Typ.
[2]
Max.
Min. Typ.
[2]
Max.
V
OH
Output HIGH Voltage
I
OH
= -1.0 mA
V
CC
= 3.0V
2.4
2.4
V
V
CC
= 2.7V
2.4
V
V
OL
Output LOW Voltage
I
OL
= 2.1 mA
V
CC
= 3.0V
0.4
0.4
V
V
CC
= 2.7V
0.4
V
V
IH
Input HIGH Voltage
2.2
V
CC
+ 0.3
2.2
V
CC
+ 0.3
V
V
IL
Input LOW Voltage
-0.3
0.8
-0.3
0.8
V
I
IX
Input Leakage Current
GND < V
I
< V
CC
-1
+1
-1
+1
μ
A
I
OZ
Output Leakage Current GND < V
O
< V
CC
, Output
Disabled
-1
+1
-1
+1
μ
A
I
CC
V
CC
Operating
Supply Current
f = f
Max
= 1/t
RC
V
CC
= 3.6V
I
OUT
= 0 mA
CMOS Levels
7
15
5.5
12
mA
f = 1 MHz
1.5
3
1.5
3
I
SB1
Automatic CE
Power-down
Current —CMOS Inputs
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
> V
CC
– 0.2V or V
IN
< 0.2V,
f = f
Max
(Address and Data Only),
f=0 (OE, WE, BHE, and BLE)
5
15
5
15
μ
A
I
SB2
Automatic CE
Power-down
Current —CMOS Inputs
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
> V
CC
– 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0, V
CC
= 3.6V
LL
5
15
5
15
μ
A
SL
5
15
1
5
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
T
A
= 25°C, f = 1 MHz, V
CC
= V
CC(typ.)
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
8
pF
Thermal Resistance
[6]
Parameter
Description
Test Conditions
FBGA
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch,
2-layer printed circuit board
55
°
C/W
Θ
JC
Thermal Resistance
(Junction to Case)
16
°
C/W
Note:
6. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CY62147EV30LL-45BVI 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
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參數(shù)描述
CY62137CVSL-70BAXIT 功能描述:IC SRAM 2MBIT 70NS 48LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62137CVSL-70BVI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2M (128K x 16) Static RAM
CY62137EV30 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137EV30_09 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM
CY62137EV30_11 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:2-Mbit (128K x 16) Static RAM
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