- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄295354 > CY7C09179V-6AXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C09179V-6AXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM |
| 中文描述： | 32K X 9 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 13/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 657K |
| 代理商： | CY7C09179V-6AXC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁當前第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
CY7C09089V/99V
CY7C09179V/99V
Document #: 38-06043 Rev. *F
Page 20 of 28
Figure 14. Pipelined Read with Address Counter Advance[51]
Figure 15. Flow-through Read with Address Counter Advance[51]
Switching Waveforms (continued)
COUNTER HOLD
READ WITH COUNTER
tSA
tHA
tSAD
tHAD
tSCN
tHCN
tCH2
tCL2
tCYC2
tSAD
tHAD
tSCN
tHCN
Qx-1
Qx
Qn
Qn+1
Qn+2
Qn+3
tDC
tCD2
READ WITH COUNTER
READ
EXTERNAL
ADDRESS
CLK
ADDRESS
ADS
DATAOUT
CNTEN
An
tCH1
tCL1
tCYC1
tSA
tHA
tSAD
tHAD
tSCN
tHCN
An
tSAD
tHAD
tSCN
tHCN
CLK
ADDRESS
ADS
CNTEN
Qx
Qn
Qn+1
tDC
COUNTER HOLD
READ WITH COUNTER
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ
WITH
COUNTER
Qn+3
Qn+2
DATAOUT
tCD1
Note
51. CE0 and OE = VIL; CE1, R/W and CNTRST = VIH.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C09199V-9AXC | 3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM |
| CY7C09159AV-12AXC | 3.3V 8K/16K x 9 Synchronous Dual Port Static RAM |
| CY7C1009B-20VXC | 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32 |
| CY7C10191B | Memory |
| CY7C1002-20DMB | x4 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C09189-9AC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 67MHZ 100LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| CY7C09189V-12AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C09189V-12AXC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 12NS 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C09189V-6AXC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6.5NS 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CY7C09199-9AC | 功能描述:IC SRAM 1.152MBIT 67MHZ 100LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。