參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C09379V-12AC
英文描述： x18 Dual-Port SRAM
中文描述： x18雙端口SRAM
文件頁數(shù)： 17/20頁
文件大?。?/td> 301K
代理商： CY7C09379V-12AC
CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
Document #: 38-06051 Rev. *A
Page 6 of 20
Notes:
13. fMAX = 1/tRC. All inputs cycling at f = 1/tRC (except output enable). f = 0 means no address or control lines change. This applies only to inputs at CMOS level standby ISB3.
14. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
Electrical Characteristics Over the Operating Range
Parameter
Description
CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
-20
-25
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
VOH
Output HIGH Voltage (VCC = 3.3V)
2.4
V
VOL
Output LOW Voltage
0.4
V
VIH
Input HIGH Voltage
2.0
V
VIL
Input LOW Voltage
0.8
V
IOZ
Output Leakage Current
–10
10
–10
10
A
ICC
Operating Current (VCC = Max.,
IOUT = 0 mA) Outputs Disabled
Com’l.
120
175
115
165
mA
Ind.[12]
140
195
mA
ISB1
Standby Current (Both Ports TTL Level)
CEL & CER ≥ VIH, f = fMAX
[13]
Com’l.
35
45
30
40
mA
Ind.[12]
45
55
mA
ISB2
Standby Current (One Port TTL Level)
CEL | CER ≥ VIH, f = fMAX
[13]
Com’l.
75
110
65
95
mA
Ind.[12]
85
130
mA
ISB3
Standby Current (Both Ports CMOS Level)
CEL & CER ≥ VCC – 0.2V, f = 0
[13]
Com’l.
10
500
10
500
A
Ind.[12]
10
500
A
ISB4
Standby Current (One Port CMOS Level)
CEL | CER ≥ VIH, f = fMAX
[13]
Com’l.
70
95
60
80
mA
Ind.[12]
80
105
mA
Capacitance[14]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz,
VCC = 3.3V
10
pF
COUT
Output Capacitance
10
pF
AC Test Loads and Waveforms
3.0V
GND
90%
10%
3ns
3 ns
10%
ALL INPUT PULSES
(a) Normal Load (Load 1)
R1 = 590
3.3V
OUTPUT
R2 = 435
C= 30 pF
VTH =1.4V
OUTPUT
C
= 30 pF
(b) ThéveninEquivalent (Load 1)
(c) Three-State Delay (Load 2)
R1 = 590
R2 = 435
3.3V
OUTPUT
C= 5pF
RTH = 250
≤
including scope and jig)
(Used for tLZ, tHZ, tHZWE & tLZWE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C09379V-6AC SYNC SRAM|32KX18|CMOS|QFP|100PIN|PLASTIC
CY7C09379V-7AC x18 Dual-Port SRAM
CY7C09379V-9AC SYNC SRAM|32KX18|CMOS|QFP|100PIN|PLASTIC
CY7C09379V-9AI SYNC SRAM|32KX18|CMOS|QFP|100PIN|PLASTIC
CY7C09389V Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C09379V-12AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3V 32Kx18 COM Sync Dual Port 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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CY7C09379V-6AXC 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6.5NS 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C09389V-12AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 1.125M-Bit 64K x 18 25ns/12ns 100-Pin TQFP 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:64KX18 3.3V DUAL PORT SRAM - Bulk
CY7C09389V-12ACT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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