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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C09389V-7AC |
| 英文描述： | x18 Dual-Port SRAM |
| 中文描述： | x18雙端口SRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/20頁(yè) |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | CY7C09389V-7AC |
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CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
Document #: 38-06051 Rev. *A
Page 6 of 20
Notes:
13. fMAX = 1/tRC. All inputs cycling at f = 1/tRC (except output enable). f = 0 means no address or control lines change. This applies only to inputs at CMOS level standby ISB3.
14. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
Electrical Characteristics Over the Operating Range
Parameter
Description
CY7C138AV/144AV/006AV
CY7C139AV/145AV/016AV
CY7C007AV/017AV
-20
-25
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
VOH
Output HIGH Voltage (VCC = 3.3V)
2.4
V
VOL
Output LOW Voltage
0.4
V
VIH
Input HIGH Voltage
2.0
V
VIL
Input LOW Voltage
0.8
V
IOZ
Output Leakage Current
–10
10
–10
10
A
ICC
Operating Current (VCC = Max.,
IOUT = 0 mA) Outputs Disabled
Com’l.
120
175
115
165
mA
Ind.[12]
140
195
mA
ISB1
Standby Current (Both Ports TTL Level)
CEL & CER ≥ VIH, f = fMAX
[13]
Com’l.
35
45
30
40
mA
Ind.[12]
45
55
mA
ISB2
Standby Current (One Port TTL Level)
CEL | CER ≥ VIH, f = fMAX
[13]
Com’l.
75
110
65
95
mA
Ind.[12]
85
130
mA
ISB3
Standby Current (Both Ports CMOS Level)
CEL & CER ≥ VCC – 0.2V, f = 0
[13]
Com’l.
10
500
10
500
A
Ind.[12]
10
500
A
ISB4
Standby Current (One Port CMOS Level)
CEL | CER ≥ VIH, f = fMAX
[13]
Com’l.
70
95
60
80
mA
Ind.[12]
80
105
mA
Capacitance[14]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz,
VCC = 3.3V
10
pF
COUT
Output Capacitance
10
pF
AC Test Loads and Waveforms
3.0V
GND
90%
10%
3ns
3 ns
10%
ALL INPUT PULSES
(a) Normal Load (Load 1)
R1 = 590
3.3V
OUTPUT
R2 = 435
C= 30 pF
VTH =1.4V
OUTPUT
C
= 30 pF
(b) ThéveninEquivalent (Load 1)
(c) Three-State Delay (Load 2)
R1 = 590
R2 = 435
3.3V
OUTPUT
C= 5pF
RTH = 250
≤
including scope and jig)
(Used for tLZ, tHZ, tHZWE & tLZWE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C09389V-9AC | SYNC SRAM|64KX18|CMOS|QFP|100PIN|PLASTIC |
| CY7C09389V-9AI | x18 Dual-Port SRAM |
| CY7C09449PV | Memory |
| CY7C09569V | Memory |
| CY7C09569V-100AC | SYNC SRAM|16KX36|CMOS|QFP|144PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C09389V-7AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3V 32Kx18 COM Sync Dual Port 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C09389V-9AC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:64KX18 3.3V DUAL PORT SRAM - Bulk |
| CY7C09389V-9ACT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Sync Dual 3.3V 1.125M-Bit 64K x 18 20ns/9ns 100-Pin TQFP T/R |
| CY7C09389V-9AI | 功能描述:IC SRAM 1MB SYNC 100-TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| CY7C09389V-9AXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.3V 32Kx18 COM Sync Dual Port 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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