參數(shù)資料
型號： CY7C107-25DMB
英文描述： x1 SRAM
中文描述： x1的SRAM
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： CY7C107-25DMB
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Data Retention Characteristics Over the Operating Range (L Version Only)
Parameter
Description
Conditions
Min.
Max.
Unit
VDR
VCC for Data Retention
No input may exceed VCC + 0.5V
VCC = VDR = 2.0V,
CE > VCC – 0.3V,
VIN > VCC – 0.3V or VIN < 0.3V
2.0
V
ICCDR
Data Retention Current
300
A
tCDR
[3]
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
tR
Operation Recovery Time
200
s
Data Retention Waveform
3.0V
tCDR
VDR > 2V
DATA RETENTION MODE
tR
CE
VCC
Switching Waveforms
Read Cycle No. 1[9, 10]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[10, 11]
Notes:
9.
Device is continuously selected. OE, CE = VIL.
10. WE is HIGH for read cycle.
11. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
tRC
tAA
tOHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
DATA VALID
tRC
tACE
tDOE
tLZOE
tLZCE
tPU
HIGH IMPEDANCE
tHZOE
tHZCE
tPD
HIGH
OE
CE
ICC
ISB
IMPEDANCE
ADDRESS
DATA OUT
VCC
SUPPLY
CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C107-25LC x1 SRAM
CY7C107-25LMB x1 SRAM
CY7C107-25PC x1 SRAM
CY7C107-25VC x1 SRAM
CY7C107-35DC x1 SRAM
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參數(shù)描述
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CY7C1079DV33-12BAXIT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 32-Mbit Static RAM 12ns 250mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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