參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C109BL-15VC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 128K x 8 Static RAM
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32
封裝： 0.400 INCH, SOJ-32
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 367K
代理商： CY7C109BL-15VC
CY7C109B
CY7C1009B
Document #: 38-05038 Rev. *C
Page 10 of 10
Document History Page
Document Title: CY7C109B/CY7C1009B 128K x 8 Static RAM
Document Number: 38-05038
REV.
ECN NO.
Issue
Date
Orig. of
Change
Description of Change
**
106832
09/22/01
SZV
Change from Spec number: 38-00971 to 38-05038
*A
116467
09/16/02
CEA
Added applications foot note to data sheet, page 1
*B
397875
See ECN
NXR
Changed address of Cypress Semiconductor Corporation on Page# 1 from
“3901 North First Street” to “198 Champion Court”
Updated the Ordering Information Table on page 7
*C
493543
See ECN
NXR
Removed 25 ns and 35 ns speed bin from product offering
Added note# 2 on page# 1
Changed the description of IIX from Input Load Current to
Input Leakage Current in DC Electrical Characteristics table
Removed IOS parameter from DC Electrical Characteristics table
Updated the Ordering Information Table
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C109BL-15VI 128K x 8 Static RAM
CY7C109BL-15ZC 128K x 8 Static RAM
CY7C1157V18-333BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18-333BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18-333BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C109BN-12VC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C109BN-12ZC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C109BN-12ZXC 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
CY7C109BN-12ZXCT 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
CY7C109BN-15VC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
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