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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1157V18-333BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 7/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 645K |
| 代理商： | CY7C1157V18-333BZI |
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CY7C1146V18, CY7C1157V18
CY7C1148V18, CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *D
Page 15 of 27
TAP Controller Block Diagram
Figure 3. Tap Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Max
Unit
VOH1
Output HIGH Voltage
IOH = 2.0 mA
1.4
V
VOH2
Output HIGH Voltage
IOH = 100 μA1.6
V
VOL1
Output LOW Voltage
IOL = 2.0 mA
0.4
V
VOL2
Output LOW Voltage
IOL = 100 μA0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
0.65 VDD VDD + 0.3
V
VIL
Input LOW Voltage
–0.3
0.35 VDD
V
IX
Input and Output Load Current
GND
≤ V
I ≤ VDD
55
μA
0
1
2
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
106
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Notes
11. These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI, and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics Table.
12. Overshoot: VIH(AC) < VDDQ + 0.35V (Pulse width less than tCYC/2), Undershoot: VIL(AC) > 0.3V (Pulse width less than tCYC/2).
13. All voltage referenced to ground.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1157V18-333BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1157V18-333BZXI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| CY7C1163KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1163KV18-550BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C11651KV18-400BZXC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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