參數(shù)資料
型號： CY7C1157V18-375BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 2M X 9 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 23/27頁
文件大?。?/td> 645K
代理商： CY7C1157V18-375BZC
CY7C1146V18, CY7C1157V18
CY7C1148V18, CY7C1150V18
Document Number: 001-06621 Rev. *D
Page 5 of 27
Pin Configurations (continued)
CY7C1148V18 (1M x 18)
165-Ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
2
3
4
567
1
A
B
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P
R
A
CQ
NC
DOFF
NC
NC/72M
A
BWS1
K
R/W
NC/144M
DQ9
NC
TDO
NC
TCK
NC
A
NC/288M
K
BWS0
VSS
ANC
A
DQ10
VSS
VDD
A
VSS
VDD
DQ11
NC
VDDQ
NC
DQ14
NC
DQ16
DQ17
A
VDDQ
VSS
VDDQ
VDD
DQ13
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VSS
A
NC
VSS
A
NC
VSS
NC
VSS
DQ12
NC
VREF
VSS
VDD
VSS
A
VSS
QVLD
NC
DQ15
NC
VDD
A
89
10
11
DQ0
A
NC/36M
LD
CQ
A
NC
DQ8
VSS
NC
DQ7
NC
VSS
NC
DQ6
NC
VREF
NC
DQ3
VDDQ
NC
VDDQ
NC
DQ5
VDDQ
NC
VDDQ
NC
DQ4
NC
VDDQ
NC
VSS
NC
TDI
TMS
VSS
A
NC
A
NC
ZQ
NC
DQ2
NC
DQ1
NC
A
CY7C1150V18 (512K x 36)
2
3
4
567
1
A
B
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D
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P
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A
CQ
NC
DOFF
NC
NC/144M NC/36M
BWS2
K
R/W
BWS1
DQ27
DQ18
NC
TDO
NC
DQ31
NC
TCK
NC
DQ28
A
BWS3
K
BWS0
VSS
ANC
A
DQ19
VSS
VDD
A
VSS
VDD
DQ20
DQ21
VDDQ
DQ32
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DQ34
DQ25
DQ26
A
VDDQ
VSS
VDDQ
VDD
DQ22
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VSS
A
NC
VSS
A
DQ29
VSS
NC
VSS
DQ30
NC
VREF
VSS
VDD
VSS
A
VSS
QVLD
NC
DQ33
NC
DQ35
DQ24
VDD
A
89
10
11
DQ0
A
NC/72M
LD
CQ
A
NC
DQ8
VSS
NC
DQ17
DQ7
NC
VSS
NC
DQ6
DQ14
NC
VREF
NC
DQ3
VDDQ
NC
VDDQ
NC
DQ5
VDDQ
DQ4
VDDQ
NC
DQ13
NC
VDDQ
NC
VSS
NC
DQ1
NC
TDI
TMS
VSS
A
NC
A
DQ16
DQ15
NC
ZQ
DQ12
DQ2
DQ10
DQ11
DQ9
NC
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1157V18-375BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18-375BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18-375BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1157V18 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
CY7C1161V18-300BZC 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1163KV18-400BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1163KV18-550BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C11651KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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