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參數資料
| 型號： | CY7C1161V18-300BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 2M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 15/29頁 |
| 文件大小： | 659K |
| 代理商： | CY7C1161V18-300BZC |
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CY7C1161V18, CY7C1176V18
CY7C1163V18, CY7C1165V18
Document Number: 001-06582 Rev. *D
Page 22 of 29
Capacitance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz,
VDD = 1.8V
VDDQ = 1.5V
5pF
CCLK
Clock Input Capacitance
6
pF
CO
Output Capacitance
7pF
Thermal Resistance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
165 FBGA
Package
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(junction to ambient)
Test conditions follow standard test methods and
procedures for measuring thermal impedance, in
accordance with EIA/JESD51.
17.2
°C/W
Θ
JC
Thermal Resistance
(junction to case)
4.15
°C/W
AC Test Loads and Waveforms
Figure 5. AC Test Loads and Waveforms
1.25V
0.25V
R = 50
Ω
5pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
ALL INPUT PULSES
Device
RL = 50Ω
Z0 = 50Ω
VREF = 0.75V
[23]
0.75V
Under
Test
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
VREF
OUTPUT
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
Ω
(b)
RQ =
250
Ω
Notes
23. Unless otherwise noted, test conditions are based upon signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, Vref = 0.75V, RQ = 250
Ω, V
DDQ = 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified IOL/IOH and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| CY7C1163KV18-550BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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