參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1168V18-333BZXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
中文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 18/27頁(yè)
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代理商： CY7C1168V18-333BZXI
CY7C1166V18, CY7C1177V18
CY7C1168V18, CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *D
Page 25 of 27
333
CY7C1166V18-333BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1177V18-333BZC
CY7C1168V18-333BZC
CY7C1170V18-333BZC
CY7C1166V18-333BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1177V18-333BZXC
CY7C1168V18-333BZXC
CY7C1170V18-333BZXC
CY7C1166V18-333BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1177V18-333BZI
CY7C1168V18-333BZI
CY7C1170V18-333BZI
CY7C1166V18-333BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1177V18-333BZXI
CY7C1168V18-333BZXI
CY7C1170V18-333BZXI
300
CY7C1166V18-300BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1177V18-300BZC
CY7C1168V18-300BZC
CY7C1170V18-300BZC
CY7C1166V18-300BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1177V18-300BZXC
CY7C1168V18-300BZXC
CY7C1170V18-300BZXC
CY7C1166V18-300BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1177V18-300BZI
CY7C1168V18-300BZI
CY7C1170V18-300BZI
CY7C1166V18-300BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1177V18-300BZXI
CY7C1168V18-300BZXI
CY7C1170V18-300BZXI
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PDF描述
CY7C1170V18-300BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1170V18-300BZI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1170V18-300BZXC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1170V18-300BZXI 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
CY7C1170V18-333BZC 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1168V18-375BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1168V18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1168V18-400BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1168V18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M Q2+, B2 (2.5) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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