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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1170V18-333BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) |
| 中文描述： | 512K X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 18/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 648K |
| 代理商： | CY7C1170V18-333BZXC |
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CY7C1166V18, CY7C1177V18
CY7C1168V18, CY7C1170V18
Document Number: 001-06620 Rev. *D
Page 25 of 27
333
CY7C1166V18-333BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1177V18-333BZC
CY7C1168V18-333BZC
CY7C1170V18-333BZC
CY7C1166V18-333BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1177V18-333BZXC
CY7C1168V18-333BZXC
CY7C1170V18-333BZXC
CY7C1166V18-333BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1177V18-333BZI
CY7C1168V18-333BZI
CY7C1170V18-333BZI
CY7C1166V18-333BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1177V18-333BZXI
CY7C1168V18-333BZXI
CY7C1170V18-333BZXI
300
CY7C1166V18-300BZC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1177V18-300BZC
CY7C1168V18-300BZC
CY7C1170V18-300BZC
CY7C1166V18-300BZXC
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1177V18-300BZXC
CY7C1168V18-300BZXC
CY7C1170V18-300BZXC
CY7C1166V18-300BZI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1177V18-300BZI
CY7C1168V18-300BZI
CY7C1170V18-300BZI
CY7C1166V18-300BZXI
51-85180 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1177V18-300BZXI
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CY7C1170V18-300BZXI
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| CY7C1170V18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M DDRII+, B2, 2.5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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| CY7C1214F-100AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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