參數(shù)資料
型號： CY7C1363B
英文描述： Memory
中文描述： 內存
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代理商： CY7C1363B
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Data Retention Characteristics Over the Operating Range (L Version Only)
Parameter
Description
Conditions
Min.
Max.
Unit
VDR
VCC for Data Retention
No input may exceed VCC + 0.5V
VCC = VDR = 2.0V,
CE > VCC – 0.3V,
VIN > VCC – 0.3V or VIN < 0.3V
2.0
V
ICCDR
Data Retention Current
300
A
tCDR
[3]
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
tR
Operation Recovery Time
200
s
Data Retention Waveform
3.0V
tCDR
VDR > 2V
DATA RETENTION MODE
tR
CE
VCC
Switching Waveforms
Read Cycle No. 1[9, 10]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[10, 11]
Notes:
9.
Device is continuously selected. OE, CE = VIL.
10. WE is HIGH for read cycle.
11. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
tRC
tAA
tOHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
DATA VALID
tRC
tACE
tDOE
tLZOE
tLZCE
tPU
HIGH IMPEDANCE
tHZOE
tHZCE
tPD
HIGH
OE
CE
ICC
ISB
IMPEDANCE
ADDRESS
DATA OUT
VCC
SUPPLY
CURRENT
相關PDF資料
PDF描述
CY7C136-45JC x8 Dual-Port SRAM
CY7C136-45JCT x8 Dual-Port SRAM
CY7C136-45LC x8 Dual-Port SRAM
CY7C1366A-225AC x36 Fast Synchronous SRAM
CY7C1366A-225AJC x36 Synchronous SRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1363B-100AC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1363B-117AJC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8M- 512KX18 3.3V FLOW-THROUGH-SYNCHRONOUS SRAM - Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1363B-117BGC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8M- 512KX18 3.3V FLOW-THROUGH-SYNCHRONOUS SRAM - Bulk
CY7C1363B-117BGCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1363B-117BGI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:8M- 512KX18 3.3V FLOW-THROUGH-SYNCHRONOUS SRAM - Bulk
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