參數(shù)資料
型號： CY7C1373CV25
英文描述： Memory
中文描述： 內(nèi)存
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： CY7C1373CV25
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
Page 9 of 9
Document Title: CY7C1019B/CY7C10191B 128K x 8 Static RAM
Document Number: 38-05026
REV.
ECN NO.
Issue Date
Orig. of Change
Description of Change
**
109949
09/25/01
SZV
Change from Spec number: 38-01115 to 38-05026
*A
116170
08/14/02
HGK
1. SOJ (400-mil) package outline replacing incorrect
SOJ package
2. Pin for pin compatible with CY7C1019
3. Industrial packages added to Ordering Information
相關PDF資料
PDF描述
CY7C138 Memory
CY7C1380B Memory
CY7C1380B-133AC x36 Fast Synchronous SRAM
CY7C1380B-133AI x36 Fast Synchronous SRAM
CY7C1380B-133BGC x36 Fast Synchronous SRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1373D-100AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 3.3V NoBL Sync PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1373D-100AXCT 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:NoBL™ 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1373D-133AXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18 Mbit 1M x 18 Flow-Through 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1373D-133BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 18 133 MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1373XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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