參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1383C-100BZC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述: 1M X 18 STANDARD SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 27/36頁(yè)
文件大小: 564K
代理商: CY7C1383C-100BZC
CY7C1381C
CY7C1383C
Document #: 38-05238 Rev. *B
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Thermal Resistance
[14]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
TQFP
Package
BGA
Package
fBGA
Package
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Test conditions follow standard
test methods and procedures
for measuring thermal
impedence, per EIA / JESD51.
31
45
46
Θ
JC
Thermal Resistance
(Junction to Case)
6
7
3
°
C/W
Capacitance
[14]
Parameter
Description
Test Conditions
TQFP
Package
BGA
Package
fBGA
Package
Unit
C
IN
Input Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V.
V
DDQ
= 2.5V
5
8
9
pF
C
CLK
Clock Input Capacitance
5
8
9
pF
C
I/O
Input/Output Capacitance
5
8
9
pF
Notes:
14.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters
AC Test Loads and Waveforms
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
L
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DD
GND
90%
10%
90%
10%
1ns
1ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R =1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
L
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DD
GND
90%
10%
90%
10%
1ns
1ns
(c)
3.3V I/O Test Load
2.5V I/O Test Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1383C-100BZI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383C-117AC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383C-117AI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1383C-117BGC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1383D-100AXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1383D-100AXCT 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1383D-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1383D-133AXCKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1383D-133AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray