參數(shù)資料
型號： CY7C1383C-117BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
中文描述： 1M X 18 STANDARD SRAM, 7.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165
文件頁數(shù)： 5/36頁
文件大?。?/td> 564K
代理商： CY7C1383C-117BZC
CY7C1381C
CY7C1383C
Document #: 38-05238 Rev. *B
Page 5 of 36
Pin Configurations
(continued)
165-ball fBGA (3 Chip Enable)
CY7C1381C (512K x 36)
4
5
BW
B
BW
C
BW
D
BW
A
V
SS
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NC
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CLK
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NC / 36M
NC / 72M
GW
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A
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NC
TCK
A
A1
V
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TMS
8
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A
11
NC
A
ADV
ADSC
OE
V
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ADSP
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A
NC / 144M
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ZZ
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CY7C1383C (1M x 18)
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A
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ADV
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OE
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A
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DQP
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NC
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A
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A
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1383C-117BZI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381C-100BZI CAPACITOR, CHIP, CERAMIC
CY7C1381C-100BGC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381C-100BGI 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381C-100BZC 18-Mb (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1383D-100AXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
CY7C1383D-100AXCT 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY7C1383D-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1383D-133AXCKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1383D-133AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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