參數(shù)資料
型號： CY7C1386BV25
英文描述： Memory
中文描述： 內(nèi)存
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： CY7C1386BV25
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Write Cycle No. 1 (CE Controlled)[12, 13]
Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write)[12, 13]
Notes:
12. Data I/O is high impedance if OE = VIH.
13. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
14. During this period the I/Os are in the output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms (continued)
tWC
DATA VALID
tAW
tSA
tPWE
tHA
tHD
tSD
tSCE
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
tHD
tSD
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZOE
DATAIN VALID
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
NOTE 14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1387B Memory
CY7C1387BV25 Memory
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CY7C1388-20VC x9 SRAM
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參數(shù)描述
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