參數(shù)資料
型號： CY7C140-35LMB
英文描述： x8 Dual-Port SRAM
中文描述： x8雙端口SRAM
文件頁數(shù)： 9/9頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： CY7C140-35LMB
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
Page 9 of 9
Document Title: CY7C1019B/CY7C10191B 128K x 8 Static RAM
Document Number: 38-05026
REV.
ECN NO.
Issue Date
Orig. of Change
Description of Change
**
109949
09/25/01
SZV
Change from Spec number: 38-01115 to 38-05026
*A
116170
08/14/02
HGK
1. SOJ (400-mil) package outline replacing incorrect
SOJ package
2. Pin for pin compatible with CY7C1019
3. Industrial packages added to Ordering Information
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C140-45DC x8 Dual-Port SRAM
CY7C140-45DI x8 Dual-Port SRAM
CY7C140-45FMB x8 Dual-Port SRAM
CY7C140-45LC x8 Dual-Port SRAM
CY7C140-45LMB x8 Dual-Port SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C140-45DMB 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CY7C1411BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36Mb QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411KV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1411SC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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