- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378507 > CY7C1411AV18-200BZI (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1411AV18-200BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 4/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1143K |
| 代理商： | CY7C1411AV18-200BZI |
第1頁第2頁第3頁當前第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
CY7C1411AV18
CY7C1426AV18
CY7C1413AV18
CY7C1415AV18
Document Number: 38-05614 Rev. *C
Page 4 of 28
Pin Configurations
CY7C1411AV18 (4M x 8)
2
3
A
4
5
6
K
K
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC/72M
NWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC/144M
NC
NC
D4
NC
NC
NC
Q4
NC
Q5
NC
NC
TDO
NC
NC
D5
V
REF
NC
Q6
NC
D7
NC
TCK
NC
NWS
0
A
V
SS
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
NC
D6
NC
NC
Q7
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
A
8
9
A
10
A
11
CQ
NC
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D2
Q3
D3
NC
Q2
NC
NC
ZQ
NC
NC
NC
NC
V
REF
Q1
NC
NC
NC
NC
Q0
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D1
D0
NC
TDI
TMS
A
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
CY7C1426AV18 (4M x 9)
2
3
A
4
5
6
K
K
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC/72M
NC
NC
D5
NC
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC/144M
BWS
0
A
V
SS
NC
NC
NC
Q5
NC
Q6
NC
NC
TDO
NC
NC
D6
V
REF
NC
Q7
NC
D8
NC
TCK
NC
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
NC
D7
NC
NC
Q8
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
A
8
9
A
10
A
NC
NC
NC
D3
11
CQ
Q4
D4
NC
Q0
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
Q3
NC
NC
ZQ
NC
D0
NC
NC
V
REF
Q2
NC
NC
NC
NC
Q1
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D2
D1
NC
TDI
TMS
A
NC
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1411AV18-200BZXC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-200BZXI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-250BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-250BZI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-250BZXC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1411BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1411KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36Mb QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1411KV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1411SC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1411SV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 NV靜態(tài)隨機存取存儲器 250 MHz 1.8V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。