- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378507 > CY7C1411AV18-200BZXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1411AV18-200BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 4M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1143K |
| 代理商： | CY7C1411AV18-200BZXC |
第1頁第2頁第3頁第4頁當(dāng)前第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
CY7C1411AV18
CY7C1426AV18
CY7C1413AV18
CY7C1415AV18
Document Number: 38-05614 Rev. *C
Page 5 of 28
Pin Configurations
(continued)
CY7C1413AV18 (2M x 18)
2
3
A
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
4
5
6
K
K
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC/144M
Q9
NC
D11
BWS
1
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC/288M
BWS
0
A
V
SS
NC
NC
TDO
NC
Q12
D13
V
REF
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
NC
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
A
8
9
A
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
NC/72M
NC
Q7
NC
D6
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Q6
Q5
D5
ZQ
NC
D0
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
Q3
Q2
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D4
D2
D1
TDI
TMS
A
C
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
2
3
4
5
6
K
K
NC
V
SS
V
SS
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
Q27
D27
D28
Q29
D34
Q35
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
NC/288M NC/72M
Q18
Q28
D20
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
Q30
D30
TDO
D29
Q21
D22
V
REF
D32
Q24
Q34
D26
Q31
TCK
D35
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
A
8
9
A
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
NC/144M
Q17
Q7
D15
D6
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
Q6
Q5
D5
ZQ
D9
D0
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
Q3
Q2
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
D4
D2
D1
TDI
TMS
A
CY7C1415AV18 (1M x 36)
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1411AV18-200BZXI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-250BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-250BZI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-250BZXC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1411AV18-250BZXI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1411BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1411KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36Mb QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1411KV18-300BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (4Mx8) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1411SC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1411SV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 NV靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 250 MHz 1.8V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。