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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1413AV18-278BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 2M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 16/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1143K |
| 代理商： | CY7C1413AV18-278BZC |
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CY7C1411AV18
CY7C1426AV18
CY7C1413AV18
CY7C1415AV18
Document Number: 38-05614 Rev. *C
Page 16 of 28
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
10
ns
ns
0
TAP Timing and Test Conditions
[14]
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number
(31:29)
Cypress Device ID
(28:12)
Cypress JEDEC
ID (11:1)
Value
Description
Version
number.
CY7C1411AV18
000
CY7C1426AV18
000
CY7C1413AV18
000
CY7C1415AV18
000
11010011011000111
11010011011001111
11010011011010111
11010011011100111 Defines the
type of SRAM.
Allows unique
identification of
SRAM vendor.
Indicates the
presence of an
ID register.
00000110100
00000110100
00000110100
00000110100
ID Register
Presence (0)
1
1
1
1
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[13, 14]
(continued)
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit
(a)
TDO
C
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1413AV18-278BZI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1413AV18-278BZXC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1413AV18-278BZXI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1413AV18-300BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1413AV18-300BZI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1413AV18-300BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 2MX18 0.45NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1413AV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1413JV18-200BZXI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2Mx18 QDR-II BURST 4 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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