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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1415AV18-250BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 1M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 1143K |
| 代理商： | CY7C1415AV18-250BZC |
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CY7C1411AV18
CY7C1426AV18
CY7C1413AV18
CY7C1415AV18
Document Number: 38-05614 Rev. *C
Page 3 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1413AV18)
5
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[17:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[1:0]
Q
[17:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
36
19
18
72
18
V
REF
W
Write
Reg
36
A
(18:0)
19
C
C
5
5
5
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
18
CQ
CQ
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1415AV18)
2
CLK
Gen.
A
(17:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[35:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[3:0]
Q
[35:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
72
18
36
144
36
V
REF
W
Write
Reg
72
A
(17:0)
18
C
C
2
2
2
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
36
CQ
CQ
DOFF
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1415AV18-250BZI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415AV18-250BZXC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415AV18-250BZXI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415AV18-278BZC | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1415AV18-278BZI | 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1415AV18-250BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 36MBIT 1MX36 0.45NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1415AV18-250BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx36 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1415AV18-250BZXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1415AV18-250CKA | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1415AV18-250CKAT | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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