參數(shù)資料
型號： CY7C145
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 8K x 8 Dual-Port Static RAM(8K x 8 雙端口靜態(tài) RAM)
中文描述： 8K的× 8雙端口靜態(tài)存儲器（8K的× 8雙端口靜態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 5/20頁
文件大小： 612K
代理商： CY7C145
CY7C144
CY7C145
Document #: 38-06034 Rev. *C
Page 5 of 20
Electrical Characteristics
Over the Operating Range (continued)
Parameter
Description
Test Conditions
7C144-35
7C145-35
7C144-55
7C145-55
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
Output HIGH Voltage
V
CC
= Min., I
OH
=
4.0 mA
V
CC
= Min., I
OL
= 4.0 mA
2.4
2.4
V
Output LOW Voltage
0.4
0.4
V
Input HIGH Voltage
2.2
2.2
V
Input LOW Voltage
0.8
0.8
V
μ
A
μ
A
Input Leakage Current
GND < V
I
< V
CC
Outputs Disabled, GND < V
O
< V
CC
V
CC
= Max., I
OUT
= 0 mA
Outputs Disabled
10
10
+10
10
10
+10
Output Leakage Current
+10
+10
Operating Current
Com’l
160
160
mA
Ind
180
180
I
SB1
Standby Current
(Both Ports TTL Levels)
CE
L
and CE
R
> V
IH
,
f = f
MAX[7]
Com’l
30
30
mA
Ind
40
40
I
SB2
Standby Current
(One Port TTL Level)
CE
L
or CE
R
> V
IH
,
f = f
MAX[7]
Com’l
100
100
mA
Ind
110
110
I
SB3
Standby Current
(Both Ports CMOS Levels)
Both Ports
CE and CE
R
> V
CC
– 0.2V,
V
IN
> V
CC
– 0.2V
or V
IN
< 0.2V, f = 0
[7]
One Port
CE
L
or CE
R
> V
CC
– 0.2V,
V
IN
> V
CC
– 0.2V or
V
IN
< 0.2V, Active
Port Outputs, f = f
MAX[7]
Com’l
15
15
mA
Ind
30
30
I
SB4
Standby Current
(One Port CMOS Level)
Com’l
90
90
mA
Ind
100
100
Capacitance
[8]
Parameter
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
CC
= 5.0V
Max.
10
15
Unit
pF
pF
C
IN
C
OUT
Note:
8. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
Input Capacitance
Output Capacitance
相關PDF資料
PDF描述
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