參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1460V25
英文描述： Memory
中文描述： 內(nèi)存
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： CY7C1460V25
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Write Cycle No. 1 (CE Controlled)[12, 13]
Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write)[12, 13]
Notes:
12. Data I/O is high impedance if OE = VIH.
13. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.
14. During this period the I/Os are in the output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms (continued)
tWC
DATA VALID
tAW
tSA
tPWE
tHA
tHD
tSD
tSCE
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
tHD
tSD
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZOE
DATAIN VALID
CE
ADDRESS
WE
DATA I/O
OE
NOTE 14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1460V33 Memory
CY7C146-15NC x8 Dual-Port SRAM
CY7C1461V25 Memory
CY7C1461V33 Memory
CY7C146-25LC x8 Dual-Port SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1460V33-167AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 36MBIT 1MX36 3.5NS 100TQFP - Bulk
CY7C1460V33-200ACES 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C146-15JC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CY7C1461AV25-117AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 2.5V NoBL FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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