參數(shù)資料
型號： CY7C190-25LMB
英文描述： x4 SRAM
中文描述： x4的SRAM
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： CY7C190-25LMB
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Package Diagrams
32-Lead (400-Mil) Molded SOJ V33
51-85033-A
51-85033-*B
相關PDF資料
PDF描述
CY7C191-35DC x4 SRAM
CY7C191-35DMB x4 SRAM
CY7C191-35KMB x4 SRAM
CY7C191-35LC x4 SRAM
CY7C191-35LMB x4 SRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1911JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M QDRII 靜態(tài)隨機存取存儲器 B4 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1911KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1911KV18-250BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1911KV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1911KV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18432KB 1ms 500mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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