參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C197B
英文描述： Memory
中文描述： 內(nèi)存
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 194K
代理商： CY7C197B
CY7C1019B/
CY7C10191B
Document #: 38-05026 Rev. *A
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Data Retention Characteristics Over the Operating Range (L Version Only)
Parameter
Description
Conditions
Min.
Max.
Unit
VDR
VCC for Data Retention
No input may exceed VCC + 0.5V
VCC = VDR = 2.0V,
CE > VCC – 0.3V,
VIN > VCC – 0.3V or VIN < 0.3V
2.0
V
ICCDR
Data Retention Current
300
A
tCDR
[3]
Chip Deselect to Data Retention Time
0
ns
tR
Operation Recovery Time
200
s
Data Retention Waveform
3.0V
tCDR
VDR > 2V
DATA RETENTION MODE
tR
CE
VCC
Switching Waveforms
Read Cycle No. 1[9, 10]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)[10, 11]
Notes:
9.
Device is continuously selected. OE, CE = VIL.
10. WE is HIGH for read cycle.
11. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
tRC
tAA
tOHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
DATA VALID
tRC
tACE
tDOE
tLZOE
tLZCE
tPU
HIGH IMPEDANCE
tHZOE
tHZCE
tPD
HIGH
OE
CE
ICC
ISB
IMPEDANCE
ADDRESS
DATA OUT
VCC
SUPPLY
CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C198-12DC x8 SRAM
CY7C198-12LC x8 SRAM
CY7C198-12PC x8 SRAM
CY7C198-15DC x8 SRAM
CY7C198-15DMB x8 SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C197B-12VC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Dual 5V 256K-Bit 256K x 1 12ns 24-Pin SOJ
CY7C197B-15VC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KB SRAM
CY7C197B-25PC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:256K (256K X 1)- FAST ASYNCH SRAM - Bulk
CY7C197BN-15VC 功能描述:256KX1 24-PIN 300 MIL I/O SRAM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
CY7C197BN-15VCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM ASYNC DUAL 5V 256KBIT 256K X 1 15NS 24PIN MLD SOJ - Tape and Reel
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