參數(shù)資料
型號(hào)： D1013UK
英文描述： Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-28V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(20W-28V-500MHz,推挽式))
中文描述： 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（20瓦- 28V的- 500MHz的，推挽式）（鍍金多用的DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（20瓦- 28V的- 500MHz的，推挽式））
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 230K
代理商： D1013UK
D1013UK
Prelim. 12/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Parameter
Drain–Source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Gate Leakage Current
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage*
g
fs
Forward Transconductance*
G
PS
Common Source Power Gain
η
Drain Efficiency
VSWR
Load Mismatch Tolerance
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS
= 0
I
D
= 100mA
V
DS
= 28V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
I
D
= 10mA
V
DS
= 10V
P
O
= 20W
V
DS
= 28V
f = 500MHz
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 1A
I
DQ
= 0.2A
V
GS
= –5V f = 1MHz
V
GS
= 0
V
GS
= 0
f = 1MHz
f = 1MHz
V
mA
μ
A
V
S
dB
%
—
pF
pF
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
70
1
1
7
1
0.8
13
50
20:1
60
30
2.5
HAZARDOUS MATERIAL WARNING
The ceramic portion of the device between leads and metal flange is beryllium oxide. Beryllium oxide dust is highly
toxic and care must be taken during handling and mounting to avoid damage to this area.
THESE DEVICES MUST NEVER BE THROWN AWAY WITH GENERAL INDUSTRIAL OR DOMESTIC WASTE.
R
THj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max. 3.5°C / W
THERMAL DATA
* Pulse Test:
Pulse Duration = 300
μ
s , Duty Cycle
≤
2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D1013UK METAL GATE RF SILICON FET
D1014UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-28V-400MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(20W-28V-400MHz,單端式))
D1015UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(125W-28V-400MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(125W-28V-400MHz,推挽式))
D1015UK METAL GATE RF SILICON FET
D1016UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(40W-28V-500MHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(40W-28V-500MHz,推挽式))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D1014 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET
D10140 功能描述:工業(yè)移動(dòng)感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類(lèi)型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類(lèi)型:Rotary Sensor
D10141 功能描述:工業(yè)移動(dòng)感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類(lèi)型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類(lèi)型:Rotary Sensor
D10142 功能描述:工業(yè)移動(dòng)感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類(lèi)型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類(lèi)型:Rotary Sensor
D10143 功能描述:工業(yè)移動(dòng)感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類(lèi)型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類(lèi)型:Rotary Sensor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*