參數(shù)資料
型號： D2019
廠商： TT electronics Semelab Limited
英文描述： METAL GATE RF SILICON FET
中文描述： 金屬門射頻硅場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 16K
代理商： D2019
D2019UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/95
Parameter
Drain–Source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Gate Leakage Current
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage*
g
fs
Forward Transconductance*
G
PS
Common Source Power Gain
η
Drain Efficiency
VSWR
Load Mismatch Tolerance
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0
I
D
= 10mA
V
DS
= 28V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
I
D
= 10mA
V
DS
= 10V
P
O
= 2.5W
V
DS
= 28V
f = 1GHz
V
DS
= 0V
V
DS
= 28V
V
DS
= 28V
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.2A
I
DQ
= 0.1A
V
GS
= –5V f = 1MHz
V
GS
= 0
V
GS
= 0
f = 1MHz
f = 1MHz
V
mA
μ
A
V
S
dB
%
—
pF
pF
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
65
1
1
5
1
0.18
13
40
20:1
12
6
0.5
R
THj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max. 10°C / W
THERMAL DATA
* Pulse Test:
Pulse Duration = 300
μ
s , Duty Cycle
≤
2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D2019UK METAL GATE RF SILICON FET
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D2020UK METAL GATE RF SILICON FET
D2021UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(7.5W-28V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(7.5W-28V-1GHz,單端式))
D2021 METAL GATE RF SILICON FET
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