參數(shù)資料
型號： D45C11
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP Current Driver Transistor(PNP電流驅(qū)動器晶體管)
中文描述： 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： D45C11
D
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
I
CES
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 100 mA, I
B
= 0
60
V
V
CB
= 90 V, I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V, I
C
= 0
10
100
μ
A
μ
A
PNP Current Driver
(continued)
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain - Bandwidth Product
I
C
= 0.2 A, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A, I
B
= 50 mA
I
C
= 1.0 A, I
B
= 100 mA
40
20
120
V
CE(
sat
)
V
BE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
0.5
1.3
V
V
f
T
I
C
= 20 mA, V
CE
= 4.0 V,
32
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D45H2A PNP Power Amplifier
D45H2A POWER TRANSISTORS(10A,30V,60W)
D45H5 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
D45H5 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
D45H5 POWER TRANSISTORS(10A,30-80V,50W)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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D45C12 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
D45C12G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
D45C12G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF BIPOLAR TRANSISTOR
D45C2 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:TO 220 4 Amp Silicon Transistor 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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