視頻圖像中的車輛檢測(cè)跟蹤和分類
基于gm5020芯片的等離子彩電的研制
IC卡電子語音書
背投電視技術(shù)
Intersil高精準(zhǔn)度的多相核心校準(zhǔn)器
ERNI提供ERmet2毫米HM通孔回流C型母連接器
半導(dǎo)體材料的電子和空穴質(zhì)量
高性能新結(jié)構(gòu)InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
先進(jìn)的芯片尺寸封裝(CSP)技術(shù)及其發(fā)展前景
發(fā)展氮化鎵集成電路的考慮
氮化物襯底材料的研究與開發(fā)
納米材料涂層的界面分析
氣相生長(zhǎng)納米炭纖維的研究進(jìn)展
微乳化技術(shù)在納米材料制備中的應(yīng)用研究
碳納米管材料特性分析
儲(chǔ)氫碳納米管與氫原子相互作用的量子力學(xué)研究
平面帶隙結(jié)構(gòu)在微波和毫米波集成電路中的應(yīng)用
自組裝半導(dǎo)體量子點(diǎn)在納米電子器件中的應(yīng)用
PID調(diào)節(jié)器對(duì)制備納米鈦薄膜的重要作用
細(xì)微間距元器件的自動(dòng)化操作
2002-2003年集成電路與專用設(shè)備發(fā)展?fàn)顩r
2005/2006年全球半導(dǎo)體資本支出與半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)
基于電流變效應(yīng)的超精密工件臺(tái)研究與展望
SPC在半導(dǎo)體晶圓制造廠的應(yīng)用（下）
半導(dǎo)體晶圓制造中的設(shè)備效率和設(shè)備能力
晶體生長(zhǎng)設(shè)備的真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)
Used Equipment——Recognizing the “total cost”
國(guó)外半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)
溶膠-凝膠工藝制備SrTiO3納米薄膜的研究
溶膠-凝膠法制備AZO薄膜工藝參數(shù)的優(yōu)化
基于TMS320C6713的電子束曝光機(jī)圖形發(fā)生器的硬件設(shè)計(jì)
光子晶體的概念
光子晶體研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
關(guān)于光子晶體
什么是光子晶體？
AXcd0011-01 用微制造法制作光子晶體
新型的光子晶體材料
硅基光子晶體的研究
光子晶體研究進(jìn)展
多孔硅上制備大光子帶隙的單量子點(diǎn)與半導(dǎo)體微腔的強(qiáng)耦合三維光子...
常用單位換算表
納米電子／光電子器件概述
超聲波處理對(duì)高親水性TiO2表面的影響
無鉛電子裝配的材料及工藝考慮
TC4/SiC擴(kuò)散焊接工藝研究
離子注入中硼在Rp缺陷的析出模型
TD覆層處理技術(shù)
陣列波導(dǎo)光柵復(fù)用／解復(fù)用器新技術(shù)
離子注入高分子材料的研究動(dòng)態(tài)及應(yīng)用
63.5mm×127mm英寸UT1X光刻版的設(shè)計(jì)及制造
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