高能效比電容供電電路設(shè)計
Fairchild推出超緊密薄型封裝高性能MicroFET MOSFET系列產(chǎn)品
英飛凌推出TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC肖特基二極管
采用PIN二極管解決寬帶射頻開關(guān)問題
英飛凌推出PrimePACK 3封裝的緊湊式IGBT模塊
Vishay新型IHLP薄型高電流電感器最大頻率高達(dá)1MHz
是否所有的ESD保護(hù)二極管都有相同的保護(hù)效果
濾波、去耦、旁路電容的作用
安森美針對便攜應(yīng)用推出新微封裝的晶體管和二極管系列
Vishay推新型超高精度Z箔（Z Foil）表面黏著電流感應(yīng)芯片電阻
Vishay推出采用芯片級MICRO FOOT封裝的功率MOSFET
陶瓷PTC與有機(jī)PTC的性能比較
自動消磁PTC熱敏電阻應(yīng)用原理
穩(wěn)壓二極管1Z系列參數(shù)
穩(wěn)壓二極管1Z系列參數(shù)
穩(wěn)壓二極管1N47系列參數(shù)
穩(wěn)壓二極管1N47系列參數(shù)
體波石英晶體元件的功率消耗
體波石英晶體元件的功率消耗
Vishay發(fā)布可滿足宇航級應(yīng)用的TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容
IDT推出具有多相位控制器和電感耦合技術(shù)
鋁電解電容選型參數(shù)
Vishay推出新款小尺寸、高電流電感器
光敏電阻器及其類型、主要參數(shù)
解讀電容的具體模型和分布參數(shù)
三極管9013管腳圖以及參數(shù)
PI全新CAPZero IC可對X電容自動安全放電
IR發(fā)布二款DirectFET MOSFET芯片組
ST推出新的高效能系列功率整流二極管
Vishay為MC AT薄膜電阻推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸器件
安森美半導(dǎo)體集成肖特基二極管的30V MOSFET問世
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最高容值的新款液鉭電容器
特瑞仕超小型封裝0603尺寸的肖特基二極管
理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量
Diodes推出PowerDI5表面貼裝封裝的產(chǎn)品系列
力特推出高性能四通道二極管陣列系列
意法推出獨創(chuàng)的符合國際電涌保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)的硅保護(hù)二極管
DWS-P型氯化鋰濕敏電阻器參數(shù)
電容器的檢測方法與更換
恩智浦推出新一代高效率低VCEsat晶體管
場效應(yīng)管放大電路原理及應(yīng)用
程控單結(jié)晶體管（PUT）應(yīng)用及原理
OTL功放電路中的自舉電容原理
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理
晶閘管的主要電參數(shù)
在設(shè)計中嵌入電容性觸摸按鍵、滑塊和滑輪
Vishay發(fā)布內(nèi)置熔絲的低ESR固鉭貼片電容器TF3
電解電容主要技術(shù)參數(shù)
Vishay螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種尺寸
Vishay小尺寸100V勢壘肖特基整流器典型VF低至0.56V
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