Vishay推出應用廣泛的2010封裝尺寸電流感測電阻
恩智浦半導體推出新系列瞬時電壓抑制器（TVS）二極管
安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET
IGBT在客車DC 600V系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
Vishay推出TNPU e3系列高精度扁平片式電阻
意法半導體（ST）推出低損耗1200V IGBT系列產(chǎn)品
納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)
電容誤差平均技術(shù)在流水線ADC中的應用
片式電容及其應用
英飛凌推出性能改進的第三代thinQ! SiC肖特基二極管
關于MOSFET的雙峰效應量化評估研究
金屬端子電容器的嘯叫降低作用
Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
MagnaChip推出8種600V MOSFET
Murata公司推出低電容ESD保護器件LXES系列
Seielect公司推出薄型大功率的薄膜電阻器RNCP
Vishay推出低導通電阻新型20V P溝道功率MOSFET
Epcos已經(jīng)研制出系列MKT薄膜電容器
Toshiba 推出3.3mmx3.3mm TSON封裝的低導通電阻大電流MOSFET
二極管的基本應用
飛兆半導體采用Power 56封裝的MOSFET器件
Vishay發(fā)布低導通電阻的TrenchFET功率MOSFET
IR基準工業(yè)級30V MOSFET提供非常低的柵極電荷
業(yè)界導通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET
飛兆半導體推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
Vishay發(fā)布超高精度Bulk Metal箔四電阻網(wǎng)絡SMNH
安森美半導體推出4款新的30伏肖特基勢壘二極管
Vishay推出首款采用1.6mm×1.6mm占位的30V功率MOSFET
基于RISC-SOC微電容測量模塊的研制
Vishay推出高性能PNM系列精密無磁薄膜電阻
實際電容法石英晶體諧振器負載諧振頻率測量技術(shù)研究
一種基于超級電容器儲能的光伏控制器的實現(xiàn)
Vishay推出新型500V功率MOSFET系列產(chǎn)品
雪崩光電二極管（APD）偏置電源及其電流監(jiān)測
基于二極管檢波的功率測量技術(shù)研究
Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導通電阻N溝道MOSFET
羅德與施瓦茨首推頻段高達33 GHz的二極管功率探頭
使用普通I/O口實現(xiàn)電容觸摸感應的解決方案
瑞薩雙向齊納二極管尺寸僅0.6 x 0.3mm
基于直流PTC熱敏電阻恒溫控制系統(tǒng)的研究與設計
NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
飛兆半導體雙MOSFET器件為同步降壓應用提供高效率和高功率密度
Vishay推出在緊湊4527封裝內(nèi)提供5W功率的表面貼裝電阻
Vishay推出新款低尺寸、高電流電感器IHLP器件
基于鉑電阻的數(shù)字溫度測量系統(tǒng)設計
ST 推出高溫柵靈敏型雙向晶閘管
電容的去耦時間
基于三極管的種類及三極管的種類分法
MagnaChip公司發(fā)布500V高壓MOSFET
光敏電阻器的主要參數(shù)
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