參數(shù)資料
型號(hào)： DBFZ400R12KE331
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 149K
代理商： DBFZ400R12KE331
Technische Information / technical information
FZ400R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
0,25
-
μs
-
0,30
-
μs
-
0,09
-
μs
-
0,10
-
μs
-
0,55
-
μs
-
0,65
-
μs
-
0,13
-
μs
-
0,18
-
μs
-
1,65
2,15
V
-
1,65
-
V
-
280
-
A
-
360
-
A
-
40
-
μC
-
75
-
μC
-
18
-
mJ
-
34
-
mJ
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 400A, V
CC
= 600V
t
r
Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 125°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
I
F
= 400A, -di
F
/dt= 4000A/μs
Durchlassspannung
forward voltage
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
= 400A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
F
= 400A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Diode Wechselrichter / diode inverter
Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
V
R
=600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
V
F
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
E
on
I
C
= 400A, V
CC
= 600V, L
σ
= 85nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 125°C
I
C
= 400A, V
CC
= 600V
-
-
t
f
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 125°C
-
33
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
t
d,on
m
Charakteristische Werte / characteristic values
I
C
= 400A, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 25°C
t
d,off
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 125°C
I
C
= 400A, V
CC
= 600V
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 125°C
-
mJ
-
mJ
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
R
CC′/EE′
T
c
= 25°C
59
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
t
P
≤
10μs, V
GE
≤
15V, T
Vj
≤
125°C
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
I
F
= 400A, -di
F
/dt= 4000A/μs
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
F
= 400A, -di
F
/dt= 4000A/μs
0,5
Q
r
16
E
off
I
C
= 400A, V
CC
= 600V, L
σ
= 85nH
V
GE
= ±15V, R
G
= 1,8
, T
vj
= 125°C
-
-
nH
stray inductance module
Modulinduktivitt
L
σ
CE
-
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
σ
CE
·di/dt
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I
SC
-
1600
-
A
2 (8)
DB_FZ400R12KE3_3.1
2002-08-07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DBFZ400R12KE3B131 IGBT Module
DBFZ400R12KS430 IGBT Module
DBFZ400R17KE321 IGBT Module
DBFZ600R12KE332 IGBT Module
DBFZ600R12KS421 IGBT Module
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參數(shù)描述
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DBG-102EF 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述:
DBG-102LTF 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述:
DBG-103EF 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述:
DBG-103LTF 制造商:Alpha 3 Manufacturing 功能描述:
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