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參數(shù)資料
| 型號： | DD600N18K |
| 英文描述： | SCR / Diode Modules |
| 中文描述： | SCR /二極管模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | DD600N18K |
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Datenblatt / Data sheet
DD600N
BIP AC / 95-04-03, K.-A. Rüther
A107/95
1/9
Seite/page
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
DD600N
DD600N..K..-A
DD600N..K..-K
ND600N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
1200
1600
1400
1800
V
V
T
vj
= +25°C... T
vj max
V
RSM
1300
1700
1500
1900
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM
950 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 100°C
I
FAVM
600 A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
22.000
19.000
A
A
Grenzlastintegral
I2t-value
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I2t
2.420.000
1.800.000
A2s
A2s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1800 A
v
F
max.
1,32 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,75 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,215 m
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
40 mA
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
3,6
3,0
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module,
Θ
= 180° sin
pro Zweig / per arm,
Θ
= 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,0390
0,0780
0,0373
0,0745
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
max.
max.
0,01
0,02
°C/W
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
- 40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
- 40...+150 °C
prepared by: C. Drilling
date of publication:
06.05.03
approved by: M. Leifeld
revision:
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DD600 | FAST RECOVERY HIGH VOLTAGE SILICON RECTIFIERS |
| DD600 | Fast Switching High Voltage Si-Rectifiers |
| DD61S | SCR / Diode Modules |
| DD62S | SCR / Diode Modules |
| DD6S16K4 | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DD600S16K4 | 功能描述:整流器 1600V 600A F/DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| DD600S17K3_B2 | 功能描述:整流器 1.7KV 600A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| DD600S17K6B2 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| DD600S17K6C-B2 | 功能描述:IGBT 晶體管 1700V 600A F/DIODE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| DD600S65K1 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 6.3KV 600A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
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