- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄376598 > DDR-GJS-MN2-1 (DOMINANT OPTO TECHNOLOGIES) LED GaP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DDR-GJS-MN2-1 |
| 廠商： | DOMINANT OPTO TECHNOLOGIES |
| 元件分類(lèi)： | LED |
| 英文描述： | LED GaP |
| 中文描述： | SINGLE COLOR LED, RED |
| 封裝： | 3.20 X 2.80 MM, 1.80 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/13頁(yè) |
| 文件大小： | 773K |
| 代理商： | DDR-GJS-MN2-1 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)當(dāng)前第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)
06/09/2005 V4.0
4
Forward Voltage (V)
Vf Binning (Optional)
Vf Bin @ 20mA
01
02
03
04
1.55 … 1.85
1.85 … 2.15
2.15 … 2.45
2.45 … 2.75
Forward voltage, Vf is measured with an accuracy of ± 0.1 V.
Please consult sales and marketing for special part number to incorporate Vf bining.
Unit
Absolute Maximum Ratings
Maximum Value
DC forward current
Peak pulse current; (tp ≤ 10μs, Duty cycle = 0.005)
Reverse voltage
ESD Thereshold (HBM)
LED juction temperature
Operating temperature
Storage temperature
Power dissipation (at room temperature)
30
500
5
2
100
-40 … +100
-40 … +100
75
mA
mA
V
kV
C
C
C
mW
Gap : DDx-GJS
DOMINANT
Semiconductors
Innovating Illumination
TM
Typ. (V)
Vf @ If = 20mA
Forward voltage, Vf is measured with an accuracy of ± 0.1 V.
Electrical Characteristics at Ta=25C
Max. (V)
V
r @
I
r
= 10
μ
A
Min(V)
Chip Type
GaP
2.2
2.6
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DDR-GJS-N1 | LED GaP |
| DDR-GJS-N2 | LED GaP |
| DDY-GJS-L1 | LED GaP |
| DDY-GJS-L2 | LED GaP |
| DDY-GJS-LM2-1 | LED GaP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DDR-GJS-N1 | 制造商:DOMINANT 制造商全稱(chēng):DOMINANT Semiconductors 功能描述:LED GaP |
| DDR-GJS-N2 | 制造商:DOMINANT 制造商全稱(chēng):DOMINANT Semiconductors 功能描述:LED GaP |
| DDRI1438HHRA5P24LY121 | 制造商:NMB 功能描述:0.375X0.875 MIN BRG |
| DDRIF-614ZZHA5P24LY121 | 制造商:NMB 功能描述:0.25X0.375 MIN FLA BRG |
| DDRSDRAM | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Specification Version 0.61 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。