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參數資料
| 型號： | DESI60 |
| 廠商： | IXYS Corporation |
| 英文描述： | Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
| 中文描述： | 快速恢復外延二極管（弗雷德） |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | DESI60 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
DSEI 60, 200V
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
s
0
10
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70
ns
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0.01
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1
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0.4
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0.8
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0
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160
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0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
K
f
T
VJ
°
C
t
s
K/W
0
200
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800
A/
m
s
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
FR
di
F
/dt
V
200
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0
400
800
A/
m
s
5
15
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A
10
100
1000
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0.4
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40
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120
140
160
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
V
μ
C
t
rr
t
fr
Z
thJC
A/
m
s
μ
s
DSEI 60-02
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 100V
T
VJ
= 100
°
C
I
F
= 100A
Fig. 3 Typ. peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 2 Typ. reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 1 Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
=25
°
C
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 100V
T
VJ
= 100
°
C
V
R
= 100V
Q
r
I
RM
Fig. 4 Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 5 Typ. recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 6 Typ peak forward voltage
V
FR
and t
fr
versus di
F
/dt
I
F
=35A
I
F
=70A
I
F
=140A
t
fr
V
FR
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case
T
VJ
=150
°
C
I
F
= 35A
I
F
= 70A
I
F
=140A
I
F
= 35A
I
F
= 70A
I
F
=140A
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780
0.819
0.800
0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610
0.140
0.640
0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170
0.212
0.216
0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065
-
0.084
0.177
-
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040
0.426
0.055
0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185
0.016
0.209
0.031
N
2.2
2.54
0.087
0.102
Dimensions
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PDF描述 |
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參數描述 |
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