參數(shù)資料
型號(hào): DF3A8.2LFE
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: DF3A8.2LFE
中文描述: DF3A8.2LFE
文件頁數(shù): 1/3頁
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代理商: DF3A8.2LFE
DF3A8.2LFE
2004-03-11
1
東芝ツェナーダイオード
エピタキシャルプレーナ形
DF3A8.2LFE
ESD
保護(hù)用
小型パッケージに
2
素子を搭載
(
アノードコモン
)
しているため、部品點(diǎn)
數(shù)
,
実裝コストの削減が可能です。
ツェナー電圧の公稱値は
E24
シリーズを採(cǎi)用しています。
端子間容量が小さい
: C
T
= 5.0 pF (
標(biāo)準(zhǔn)
)
最大定格
(Ta = 25°C)
項(xiàng)
號(hào)
単位
P
100
mW
T
j
125
°C
T
stg
55~125
°C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項(xiàng)
號(hào)
測(cè)
最小
標(biāo)準(zhǔn)
最大
単位
V
Z
I
Z
=
5 mA
7.8
8.2
8.6
V
動(dòng)
Z
Z
I
Z
=
5 mA
60
動(dòng)
Z
ZK
I
Z
=
0.5 mA
100
I
R
V
R
=
6. 5 V
0.5
μ
A
端子間容量
(
カソード-アノード間
)
C
T
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
5.0
pF
ESD
イミュニティレベル保証値
試験方法
ESD
イミュニティレベル
IEC61000-4-2
準(zhǔn)拠
(
接觸放電
)
±
6kV
判定基準(zhǔn)
:
素子破壊なき事
現(xiàn)品表示
內(nèi)部接続
(top view)
FU
単位
: mm
JEDEC
JEITA
1-2SA1A
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PDF描述
DF3A8.2LFU_07 Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 2.65 to 2.90; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF3A8.2LFV Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 18.86 to 21.08; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: URP
DF4-04P-2R26 Circular Connector; No. of Contacts:26; Series:; Body Material:Aluminum; Connector Shell Size:16; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:16-26
DF4-07P-2R26 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015 E/F/R; Body Material:Aluminum Alloy; Series:SG3106; Number of Contacts:19; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
DF4-08DP-2C 2mm Pitch Connector Directly Mounted on Board
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