參數(shù)資料
型號(hào)： DG418DY-T1-E3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁數(shù)： 12/16頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
功能： 開關(guān)
電路： 1 x SPST - NO
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 40 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 12V，±15V
電流 - 電源： 1nA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)
Document Number: 70051
S10-1528-Rev. G, 19-Jul-10
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG417, DG418, DG419
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
RDS(on) vs. VD and Supply Voltage
Leakage Currents vs. Analog Voltage
R
DS(on)
(
)
50
40
30
0
- 20
- 15
20
10
- 10
- 5
5
15
10
0
ID = - 10 mA
± 10 V
± 15 V
± 20 V
± 12 V
± 8 V
± 5 V
VD - Drain Voltage (V)
I(pA)
30
20
- 30
- 15
- 10
15
10
0
- 5
0
5
10
- 10
- 20
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VL = 5 V
DG417/418: ID(off), IS(off)
DG419: IS(off)
DG417/418: ID(on)
DG419: ID(off), ID(on)
VD or VS - Drain or Source Voltage (V)
RDS(on) vs. Temperature
Drain Charge Injection
R
DS(on)
(
)
40
30
0
- 15
- 10
15
20
- 5
0
5
10
25 °C
- 55 °C
TA = 125 °C
VD - Drain Voltage (V)
Q
(pC)
200
150
100
- 50
- 15
- 10
15
50
0
- 5
0
5
10
100 pF
500 pF
1 nF
V+ = 16.5 V
V- = - 16.5 V
VL = 5 V
VIN = 0 V
CL = 10 nF
VS - Source Voltage (V)
Input Switching Threshold vs. Supply Voltages
(V)
TH
V
3.5
3.0
2.5
0
510
40
2.0
1.5
1.0
0.5
15
20
25
30
35
(V+)
VL = 5 V
VL = 7 V
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