參數(shù)資料
型號： DG419CY
廠商： Maxim Integrated Products
文件頁數(shù)： 12/12頁
文件大小： 0K
描述： IC SWITCH SPDT 8SOIC
產品培訓模塊： Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
標準包裝： 100
功能： 開關
電路： 1 x SPDT - NC/NO
導通狀態(tài)電阻： 100 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 10 V ~ 30 V，±4.5 V ~ 20 V
電流 - 電源： 100pA
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝： 8-SOIC
包裝： 管件
其它名稱： Q1137111
DG417/DG418/DG419
Improved, SPST/SPDT Analog Switches
_______________________________________________________________________________________
9
IN
0V or
2.4V
SIGNAL
GENERATOR 0dBm
+15V
10nF
VL
NETWORK
ANALYZER
S1 or S2
RL
GND
D
10nF
-15V
V-
V+
+5V
DG417
DG418
DG419
SIGNAL
GENERATOR 0dBm
+15V
V+
S2
RL
GND
D
V-
-15V
0V or 2.4V
IN
S1
50
VL
D
DG419
+5V
NETWORK
ANALYZER
10nF
CAPACITANCE
METER
S
D
GND
V-
-15V
IN
0V or
2.4V
+15V
VL
+5V
f = 1MHz
V+
DG417
DG418
DG419
10nF
S
D
GND
V-
-15V
IN
0V or
2.4V
+15V
VL
+5V
V+
DG417
DG418
DG419
CAPACITANCE
METER
f = 1MHz
10nF
Figure 6. Off-Isolation Rejection Ratio
Figure 7. DG419 Crosstalk
Figure 8. Drain-Source Off-Capacitance
Figure 9. Drain-Source On-Capacitance
______________________________________Test Circuits/Timing Diagrams (continued)
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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DG419CY+T 功能描述:模擬開關 IC SPDT Precision CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關數(shù)量:2 開關配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時間（最大值）: 關閉時間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
DG419CY-T 功能描述:模擬開關 IC RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關數(shù)量:2 開關配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時間（最大值）: 關閉時間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
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DG419DJ 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:IC SWITCH SPDT DIP8 419
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