參數(shù)資料
型號(hào)： DG419DY-T1-E3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁數(shù)： 15/16頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
功能： 開關(guān)
電路： 1 x SPDT
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 40 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 12V，±15V
電流 - 電源： 1nA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： DG419DY-T1-E3DKR
www.vishay.com
8
Document Number: 70051
S10-1528-Rev. G, 19-Jul-10
Vishay Siliconix
DG417, DG418, DG419
TEST CIRCUITS
Figure 5. Charge Injection
CL
10 nF
D
Rg
VO
V+
S
V-
3 V
IN
VL
- 15 V
GND
- 15 V
+ 5 V
OFF
ON
OFF
VO
INX
Q =
VO x CL
Figure 6. Crosstalk (DG419)
Rg = 50
IN
0.8 V
VL
V+
V-
XTALK Isolation = 20 log
VS
VO
GND
S2
VS
VO
S1
RL
D
C = RF bypass
50
+ 15 V
- 15 V
C
+ 5 V
C
Figure 7. Off Isolation
V+
S
VL
Rg = 50
D
- 15 V
VS
GND
V-
C
RL
IN
VO
0 V, 2.4 V
Off Isolation = 20 log
VS
VO
+ 5 V
C
+ 15 V
C
Figure 8. Insertion Loss
S
VS
VO
0 V, 2.4 V
IN
RL
VL
D
Rg = 50
+ 5 V
- 15 V
GND
V-
C
+ 15 V
V+
C
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PDF描述
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DG419LDJ+ 功能描述:模擬開關(guān) IC SPDT Precision CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:2 開關(guān)配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
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