參數(shù)資料
型號(hào)： DG442BDJ-E3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù)： 11/13頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC SWITCH QUAD SPST 16DIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 500
功能： 開(kāi)關(guān)
電路： 4 x SPST - NO
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 90 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 12V，±15V
電流 - 電源： 5µA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： 16-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-PDIP
包裝： 管件
Document Number: 72625
S13-1284-Rev. C, 27-May-13
www.vishay.com
7
Vishay Siliconix
DG441B, DG442B
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TEST CIRCUITS
Figure 2. Switching Time
0 V
Logic
Input
Switch
Input
Switch
Output
3 V
50 %
0 V
VO
VS
tr < 20 ns
tf < 20 ns
tOFF
tON
Note:
Logic input waveform is inverted for DG442.
50 %
80 %
10 V
CL (includes fixture and stray capacitance)
V-
V+
IN
S
D
3 V
RL
1
k
Ω
CL
35 pF
VO
- 15 V
GND
+ 15 V
Figure 3. Charge Injection
OFF
ON
OFF
ON
OFF
VO
ΔV
O
INX
Q =
ΔVO x CL
(DG441B)
(DG442B)
CL
1 nF
IN
D
VO
V-
V+
S
3 V
Rg
- 15 V
GND
+ 15 V
Figure 4. Crosstalk
C = 1 mF tantalum in parallel with 0.01 mF ceramic
50
Ω
D1
VO
Rg = 50 Ω
S1
+ 15 V
- 15 V
D2
GND
V+
V-
NC
C
S2
RL
IN1
XTALK Isolation = 20 log
VS
VO
0 V, 2.4 V
VS
IN2
C = RF bypass
Figure 5. Off Isolation
S
IN
RL
D
Rg = 50 Ω
VS
VO
0 V, 2.4 V
Off Isolation = 20 log
VS
VO
V+
- 15 V
GND
V-
C
+ 15 V
Figure 6. Source/Drain Capacitances
S
D
IN
+ 15 V
- 15 V
GND
V+
V-
C
0 V, 2.4 V
Meter
HP4192A
Impedance
Analyzer
or Equivalent
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DG442DJ IC SWITCH QUAD SPST 16DIP
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DG442BDY-E3 功能描述:模擬開(kāi)關(guān) IC Hi-Speed Quad SPST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開(kāi)關(guān)數(shù)量:2 開(kāi)關(guān)配置:SPDT 開(kāi)啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
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