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參數(shù)資料
| 型號： | DIM150WHS12-E |
| 英文描述： | IGBT Modules - Half Bridge |
| 中文描述： | IGBT模塊-半橋 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | DIM150WHS12-E |
DIM150CHS17-E000
6/8
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
Fig. 7 Diode typical forward characteristics
Fig. 8 IGBT reverse bias safe operating area
Fig. 9 Diode reverse bias safe operating area
0
100
200
300
400
500
0
200
400
Collector-emitter voltage, V
ce
- (V)
600
800
1000 1200 1400 1600 1800
C
C
T
case
= 125
C
V
ge
= ±15V
R
g(min)
= 10 Ohms
Chip
Module
Fig. 10 Transient thermal impedance
0.001
0.010
0.100
1.000
0.001
0.01
0.1
1.0
10
Pulse width, t
p
- (s)
T
t
°
C
Diode
Transistor
IGBT
Diode
R
i
(C/KW)
τ
i
(ms)
R
(C/KW)
τ
i
(ms)
1
2.2819
0.0364
5.7455
0.0509
2
19.2021
1.4878
48.7020
2.1069
3
68.2515
36.4414
126.5285
34.6933
4
55.6787
108.2289
98.7716
92.9209
0
50
100
150
200
250
300
0
1.0
Forward voltage, V
F
- (V)
2.0
3.0
F
F
T
j
= 25C
T
j
= 125C
0
300
150
200
250
100
50
0
200
400
600
Reverse voltage, V
r
- (V)
800 1000 1200 1400 1600 1800
R
r
T
j
= 125C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DIM150WHS17-E | IGBT Modules - Half Bridge |
| DIM1600FSM12-A | IGBT Modules - Single Switch |
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| DIM1600NSM17-E | IGBT Modules - Single Switch |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DIM150WHS12E000 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| DIM150WHS12-E000 | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
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| DIM1600FSM12-A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Modules - Single Switch |
| DIM1600FSM12A00 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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