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參數(shù)資料
| 型號： | DME500 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 500WATTS - 50 VOLTS 1025/1150 MHZ |
| 中文描述： | 500WATTS - 50伏特一千一百五分之一千○二十五兆赫 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | DME500 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMEG250 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30A I(C) | FO-231VAR |
| DMF-12A-1700 | Analog IC |
| DMF-12A-250 | Analog IC |
| DMF-12A-500 | Analog IC |
| DMF-12A-700 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DME501010R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DME505010R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DME50B010R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DME50C010R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DME6P1-1K | 功能描述:薄膜電容器 .1UF 630V 10% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產(chǎn)品類型: 電介質(zhì):Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm |
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