型號(hào): | DMN36.1A |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | CHIP |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的|配對(duì)| N溝道|芯片 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大小: | 112K |
代理商: | DMN36.1A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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DMO063 | |
DO061A | |
DO061B | |
DMO065 | |
DMO103 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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DMN3730U | 制造商:TYSEMI 制造商全稱(chēng):TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN SOT23 |
DMN3730U-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
DMN3730UFB | 制造商:DIODES 制造商全稱(chēng):Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
DMN3730UFB4 | 制造商:DIODES 制造商全稱(chēng):Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
DMN3730UFB4-7 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |