參數(shù)資料
型號： DN3545ND
廠商： SUPERTEX INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
中文描述： N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： DIE
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： DN3545ND
2
90%
10%
90%
90%
10%
10%
PULSE
GENERATOR
V
DD
R
L
OUTPUT
D.U.T.
t
(ON)
t
d(ON)
t
(OFF)
t
d(OFF)
t
F
t
r
INPUT
INPUT
OUTPUT
0V
V
DD
R
gen
0V
-10V
Package
I
D
(continuous)*
I
D
(pulsed)
Power Dissipation
@ T
A
= 25
°
C
0.74W
θ
jc
°
C/W
θ
ja
°
C/W
I
DR
*
I
DRM
TO-92
136mA
1.6A
125
170
136mA
1.6A
TO-243AA
200mA
300mA
1.6
15
78
200mA
300mA
*
I
(continuous) is limited by max rated T
.
Mounted on FR4 board, 25mm x 25mm x 1.57mm. Significant P
D
increase possible on ceramic substrate.
Thermal Characteristics
Switching Waveforms and Test Circuit
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Conditions
BV
DSX
Drain-to-Source
Breakdown Voltage
450
V
V
GS
= -5V, I
D
= 100
μ
A
V
GS(OFF)
V
GS(OFF)
I
GSS
I
D(OFF)
Gate-to-Source OFF Voltage
–1.5
–3.5
V
V
DS
= 25V, I
D
= 10
μ
A
V
DS
= 25V, I
D
= 10
μ
A
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -5V, V
DS
= Max Rating
V
GS
= -5V, V
DS
= 0.8 Max Rating
T
A
= 125
°
C
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
GS
= 0V, I
D
= 150mA
Change in V
GS(OFF)
with Temperature
Gate Body Leakage Current
4.5
mV/
°
C
100
nA
Drain-to-Source Leakage Current
1.0
μ
A
1.0
mA
I
DSS
R
DS(ON)
Saturated Drain-to-Source Current
200
mA
Static Drain-to-Source
ON-State Resistance
20
R
DS(ON)
G
FS
C
ISS
C
OSS
C
RSS
t
d(ON)
t
r
t
d(OFF)
t
f
V
SD
t
rr
Change in R
DS(ON)
with Temperature
Forward Transconductance
1.1
%/
°
C
V
GS
= 0V, I
D
= 150mA
I
D
= 100mA, V
DS
= 10V
V
GS
= -5V, V
DS
= 25V
f = 1 MHz
150
m
Input Capacitance
360
Common Source Output Capacitance
40
pF
Reverse Transfer Capacitance
15
Turn-ON Delay Time
20
V
DD
= 25V,
I
D
= 150mA,
R
GEN
= 25
,
V
GS
= 0V to -10V
V
GS
= -5V, I
SD
= 150mA
V
GS
= -5V, I
SD
= 150mA
Rise Time
30
ns
Turn-OFF Delay Time
30
Fall Time
40
Diode Forward Voltage Drop
1.8
V
Reverse Recovery Time
800
ns
Notes:
1.
2.
All D.C. parameters 100% tested at 25
°
C unless otherwise stated. (Pulse test: 300
μ
s pulse, 2% duty cycle.)
All A.C. parameters sample tested.
Electrical Characteristics
(@ 25
°
C unless otherwise specified)
DN3545
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DN3765 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET
DN3765K4-G N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET
DN620 Preamp， Non-Audio
DN630 Preamp， Non-Audio
DN6838 DN6838
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DN3545N-G3-P013 功能描述:MOSFET 450V 20Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
DN3687GFPV 功能描述:IC H8/3687 MCU EEPROM 64LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:H8® H8/300H 微型 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:PIC® 16F 核心處理器:PIC 芯體尺寸:8-位 速度:20MHz 連通性:I²C，SPI 外圍設(shè)備:欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):11 程序存儲器容量:3.5KB（2K x 14） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:128 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 包裝:管件
DN3694GFPV 功能描述:IC H8/3694 MCU EEPROM 64-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:H8® H8/300H 微型 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心處理器:M32C/80 芯體尺寸:16/32-位 速度:32MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外圍設(shè)備:DMA，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):121 程序存儲器容量:384KB（384K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-20°C ~ 85°C 封裝/外殼:144-LQFP 包裝:托盤 產(chǎn)品目錄頁面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87
DN-36-CV1 制造商:HRS 制造商全稱:HRS 功能描述:DN SERIES-NEW D SUBMINIATURE INTERFACE CONNECTORS
DN-36-CVE1 制造商:HRS 制造商全稱:HRS 功能描述:DN SERIES-NEW D SUBMINIATURE INTERFACE CONNECTORS
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*