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參數(shù)資料
| 型號： | DS1225E-120IND |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于電池） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | DS1225E-120IND |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1225E-70 | NVRAM (Battery Based) |
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| DS1225Y-170 | NVRAM (Battery Based) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| DS1225E-70IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1225E-85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1225Y | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:64K Nonvolatile SRAM |
| DS1225Y-150 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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