參數(shù)資料
型號： DS1230AB-100-IND
英文描述： NVRAM (Battery Based)
中文描述： NVRAM中（基于電池）
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 469K
代理商： DS1230AB-100-IND
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072601
FEATURES
§ 10 years minimum data retention in the
absence of external power
§ Data is automatically protected during power
loss
§ Replaces 32k x 8 volatile static RAM,
EEPROM or Flash memory
§ Unlimited write cycles
§ Low-power CMOS
§ Read and write access times as fast as 70 ns
§ Lithium energy source is electrically
disconnected to retain freshness until power is
applied for the first time
§ Full
±10% V
CC operating range (DS1230Y)
§ Optional
±5% V
CC operating range
(DS1230AB)
§ Optional industrial temperature range of
-40
°C to +85°C, designated IND
§ JEDEC standard 28-pin DIP package
§ PowerCap Module (PCM) package
-
Directly surface-mountable module
-
Replaceable snap-on PowerCap provides
lithium backup battery
-
Standardized pinout for all nonvolatile
SRAM products
-
Detachment feature on PowerCap allows
easy removal using a regular screwdriver
PIN ASSIGNMENT
PIN DESCRIPTION
A0 - A14
- Address Inputs
DQ0 - DQ7
- Data In/Data Out
CE
- Chip Enable
WE
- Write Enable
OE
- Output Enable
VCC
- Power (+5V)
GND
- Ground
NC
- No Connect
DS1230Y/AB
256k Nonvolatile SRAM
www.maxim-ic.com
13
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3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
27
28-Pin ENCAPSULATED PACKAGE
740-mil EXTENDED
A14
A7
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ0
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ5
DQ6
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20
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15
16
A12
A6
DQ2
GND
DQ4
DQ3
1
NC
2
3
NC
VCC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
4
5
6
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8
9
10
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12
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16
17
NC
A14
33
32
31
30
29
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27
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19
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A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
34
NC
GND VBAT
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)
(USES DS9034PC POWERCAP)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1230AB-120-IND NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-150-IND NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-200-IND NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-55 NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-70 NVRAM (Battery Based)
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參數(shù)描述
DS1230AB-120 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-120+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-120IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-120-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230AB-120IND+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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