參數(shù)資料
型號(hào): DS1230AB-200-IND
英文描述: NVRAM (Battery Based)
中文描述: NVRAM中(基于電池)
文件頁(yè)數(shù): 4/12頁(yè)
文件大小: 469K
代理商: DS1230AB-200-IND
DS1230Y/AB
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RECOMMENDED POWERCAP MODULE LAND PATTERN
INCHES
PKG
DIM
MIN
NOM
MAX
A
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1.050
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B
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0.826
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C
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0.050
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0.112
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RECOMMENDED POWERCAP MODULE SOLDER STENCIL
INCHES
PKG
DIM
MIN
NOM
MAX
A
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B
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C
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D
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0.030
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E
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0.080
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1230AB-55 NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-70 NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-70-IND NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-85-IND NVRAM (Battery Based)
DS1230ABL-100 NVRAM (Battery Based)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1230AB-200IND+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-55 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-70 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-70+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230AB-70IND 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube